01
存储技术概览
从HDD到SSD的演进，NAND Flash的诞生背景与市场地位。
演进背景
02
NAND Flash核心架构
浮栅晶体管原理，SLC/MLC/TLC/QLC单元结构差异。
浮栅单元差异
03
NAND Flash阵列组织
Page、Block、Plane、Die、Chip层级关系与寻址方式。
层级寻址
04
NAND Flash接口协议
异步/同步接口，ONFI与Toggle标准详解。
ONFIToggle
05
NAND Flash基本操作
Read、Program、Erase的时序与电气特性。
时序电气
06
NAND Flash坏块管理
出厂坏块与使用坏块，坏块表(BBT)管理策略。
BBT策略
07
NAND Flash ECC纠错
BCH与LDPC编码原理，纠错能力与码率权衡。
BCHLDPC
08
NAND Flash干扰机制
Program Disturb、Read Disturb、Data Retention与解决方案。
干扰保持
09
NAND Flash磨损均衡
动态与静态磨损均衡算法，垃圾回收(GC)触发机制。
磨损均衡GC
10
NAND Flash读写缓存
SLC Cache与ZNS技术，写放大因子(WAF)优化。
SLC CacheWAF
11
NAND Flash命令集
标准命令、高级命令、Set Feature/Get Feature操作。
命令Feature
12
NAND Flash寄存器配置
状态寄存器、地址寄存器、数据寄存器详解。
寄存器状态
13
NAND Flash时序参数
tR、tPROG、tBERS、tRC/tWC等关键时序分析。
时序参数
14
NAND Flash多平面操作
Multi-Plane Read/Program/Erase，提升吞吐量。
多平面吞吐
15
NAND Flash交错操作
Interleave技术，多Die并行访问策略。
交错并行
16
NAND Flash缓存操作
Cache Read/Cache Program，流水线处理机制。
缓存流水线
17
NAND Flash Copyback操作
内部数据搬移，减少总线占用。
Copyback搬移
18
NAND Flash状态检测
RB#引脚与状态寄存器轮询，中断处理机制。
RB#轮询
19
NAND Flash初始化流程
ID读取、参数配置、坏块扫描、ECC初始化。
初始化ID
20
NAND Flash驱动开发
Linux MTD子系统架构，NAND Controller驱动编写。
MTD驱动
21
NAND Flash裸机编程
GPIO模拟时序，基础读写函数实现。
裸机GPIO
22
NAND Flash文件系统
UBIFS、JFFS2、YAFFS2设计原理与适用场景。
UBIFSJFFS2
23
NAND Flash FTL层设计
逻辑地址到物理地址映射，映射表管理。
FTL映射
24
NAND Flash电源管理
休眠唤醒机制，低功耗模式配置。
电源低功耗
25
NAND Flash可靠性测试
耐久性测试、数据保持测试、环境应力测试。
可靠性测试
26
NAND Flash错误处理
Uncorrectable ECC Error处理，Read Retry机制。
错误处理Retry
27
NAND Flash安全特性
OTP区域、安全擦除、物理不可克隆函数(PUF)。
OTPPUF
28
NAND Flash未来技术
3D NAND堆叠层数演进，PLC与QLC+技术趋势。
3D NANDPLC
29
NAND Flash实战案例
基于STM32的NAND Flash驱动移植与调试。
STM32移植
30
NAND Flash性能优化
DMA传输、Cache策略、命令队列深度调优。
DMA调优